STB30NM50N
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
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STMicroelectronics STB30NM50N
| Artikelnummer: | STB30NM50N |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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STMicroelectronics STB30NM50N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments STB30NM50N.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie MDmesh™ II Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 13.5A, 10V Verlustleistung (max) 190W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2740 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27A (Tc) Grundproduktnummer STB30N STB30NM50N Einzelheiten PDF [English] STB30NM50N PDF - EN.pdf -
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