STB25N80K5
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STB25N80K5 |
---|---|
Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $6.32 |
10+ | $5.679 |
100+ | $4.6527 |
500+ | $3.9608 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | SuperMESH5™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 19.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 19.5A (Tc) |
Grundproduktnummer | STB25 |
STB25N80K5 Einzelheiten PDF [English] | STB25N80K5 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
ST TO-263
SWITCH TOGGLE
ST TO-263
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 19A D2PAK
SWITCH TOGGLE
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
ST TO-263
ST TO-263
MOSFET N-CH 600V D2PAK
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK
MOSFET N-CHANNEL 60V 25A D2PAK
ST TO263
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() STB25N80K5STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|