Name: STMicroelectronics STB200N4F3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB200N4F3
Availability: InStock
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STMicroelectronics STB200N4F3

Artikelnummer:

STB200N4F3

Hersteller / Marke:

STMicroelectronics

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Datenblätte:

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~STMicroelectronics STB200N4F3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments STB200N4F3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)	300W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Grundproduktnummer	STB200N
STB200N4F3 Einzelheiten PDF [English]	STB200N4F3 PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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Wir unterstützen sowohl online- als auch offline -Bestellungen.Ausführliche Anleitungen zum Bestellvorgang finden Sie im folgenden Link:
https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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