STB155N3LH6
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STB155N3LH6 |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.77 |
10+ | $2.487 |
100+ | $1.999 |
500+ | $1.6424 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 40A, 10V |
Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Grundproduktnummer | STB155 |
STB155N3LH6 Einzelheiten PDF [English] | STB155N3LH6 PDF - EN.pdf |
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2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() STB155N3LH6STMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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