STB155N3H6
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STB155N3H6 |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 40A, 10V |
Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3650 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Grundproduktnummer | STB155N |
STB155N3H6 Einzelheiten PDF [English] | STB155N3H6 PDF - EN.pdf |
N-channel 800 V, 0.300 Ohm typ.,
IP66 TERM BOX 150X150X120MM
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
STB15NK50Z ST
VBSEMI TO-263
DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
IP66 TERM BOX 150X150X80MM
DIODE SCHOTTKY 200V D2PAK
STB15NK50Z-1 ST
DIODE SCHOTTKY 200V D2PAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() STB155N3H6STMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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