SI4416DY
Fairchild Semiconductor
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1340 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta) |
SI4416DY Einzelheiten PDF [English] | SI4416DY PDF - EN.pdf |
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2024/08/24
2024/04/11
2025/01/2
2023/12/21
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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