PHP45NQ10TA,127
NXP Semiconductors / Freescale
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 25A, 10V |
Verlustleistung (max) | - |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Andere Namen | 934059957127 |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 47A (Tc) Through Hole TO-220AB |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 47A (Tc) |
PHP45NQ10TA,127 Einzelheiten PDF [English] | PHP45NQ10TA,127 PDF - EN.pdf |
NEXPERIA PHP45NQ10T - 47A, 100V,
MOSFET N-CH 150V 45.1A TO220AB
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2024/05/6
2024/03/21
2024/06/17
2024/09/18
PHP45NQ10TA,127NXP Semiconductors / Freescale |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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