NTE5822
NTE Electronics, Inc
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $8.15 |
10+ | $7.74 |
20+ | $7.34 |
50+ | $6.93 |
100+ | $6.76 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 12 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-4 |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 400 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Paket | Bag |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Stud Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 25 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 12A |
Kapazität @ Vr, F | - |
DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
DIODE GEN PURP 600V 6A AXIAL
DIODE GP 400V 50A PRESS FIT
DIODE GP 800V 50A PRESS FIT
DIODE GEN PURP 600V 10A AXIAL
DIODE GEN PURP 1KV 10A AXIAL
DIODE GEN PURP 1KV 6A AXIAL
DIODE GEN PURP 50V 3A DO4
DIODE GEN PURP 400V 10A AXIAL
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
DIODE GEN PURP 400V 6A AXIAL
DIODE GEN PURP 50V 3A DO4
DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
DIODE GP 400V 50A PRESS FIT
DIODE GEN PURP 70V 15MA DO35
DIODE GP 800V 50A PRESS FIT
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
2024/11/5
2024/10/23
2024/07/9
2024/04/11
NTE5822NTE Electronics, Inc |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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