APTM120A20DG
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | APTM120A20DG |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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4+ | $309.56 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SP6 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 25A, 10V |
Leistung - max | 1250W |
Verpackung / Gehäuse | SP6 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15200pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 600nC @ 10V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Grundproduktnummer | APTM120 |
APTM120A20DG Einzelheiten PDF [English] | APTM120A20DG PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() APTM120A20DGMicrochip Technology |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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