IMB3AT110
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | IMB3AT110 |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.47 |
10+ | $0.378 |
100+ | $0.2571 |
500+ | $0.1928 |
1000+ | $0.1446 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 5mA |
Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | SMT6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7kOhms |
Leistung - max | 300mW |
Verpackung / Gehäuse | SC-74, SOT-457 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 1mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Grundproduktnummer | IMB3 |
IMB3AT110 Einzelheiten PDF [English] | IMB3AT110 PDF - EN.pdf |
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2024/10/23
2024/10/30
2024/06/6
2024/11/13
IMB3AT110Rohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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