DTD113ZUT106
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | DTD113ZUT106 |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.47 |
10+ | $0.402 |
100+ | $0.2999 |
500+ | $0.2357 |
1000+ | $0.1821 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | UMT3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Leistung - max | 200 mW |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 200 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 82 @ 50mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500 mA |
Grundproduktnummer | DTD113 |
DTD113ZUT106 Einzelheiten PDF [English] | DTD113ZUT106 PDF - EN.pdf |
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2024/09/23
2024/04/13
2024/04/14
2024/05/23
DTD113ZUT106Rohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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