IRF1312PBF
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRF1312PBF |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 57A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 210W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5450 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 95A (Tc) |
IRF1312PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF1312PBF PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
IR D2-PAK
IRF1312STRPBF IR
IRF1312S IR
IRF1310NSTRPBF IR
IRF1312STRR IR
IRF1310S IR
IRF1310NSTRPBF. IR
IRF1324 IR
IR TO-262
IRF1312STRLPBF IR
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
IRF1310TRPBF IR
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
IRF1312 IR/VISHAY
MOSFET N-CH 24V 195A TO262
IRF1312L IR
IR TO-220
IR TO-220
IRF1312SPBF IR
2024/01/30
2024/05/6
2024/04/10
2024/05/30
IRF1312PBFInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|