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Infineon Technologies IPG20N06S4L11AATMA1
| Artikelnummer: | IPG20N06S4L11AATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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| 100+ | $1.3238 |
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| 1000+ | $0.9012 |
| 2000+ | $0.839 |
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-
Infineon Technologies IPG20N06S4L11AATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPG20N06S4L11AATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 28µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-10 Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.2mOhm @ 17A, 10V Leistung - max 65W Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount, Wettable Flank Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4020pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Grundproduktnummer IPG20N IPG20N06S4L11AATMA1 Einzelheiten PDF [English] IPG20N06S4L11AATMA1 PDF - EN.pdf -
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