BSS127 E6327
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSS127 E6327 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 8µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT23 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 16mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 500mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21mA (Ta) |
BSS127 E6327 Einzelheiten PDF [English] | BSS127 E6327 PDF - EN.pdf |
DIODE GP SOT23
INFINEON SOT-23
BSS127H6327 INFINEO
Infineon SOT23-3
MOSFET N-CHANNEL 600V 21MA SOT23
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
UTC SOT23-3
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSS127 L6327 INFINEO
BSS127E6327 I
BSS127 H6327 Infineon Technologies
INFINEON SOT-23
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
DIODE GP SOT23
BSS126L6327 INFINEO
UTC SOT23
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
2024/03/19
2024/05/15
2024/04/29
2024/05/10
BSS127 E6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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