BSC010NE2LSATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSC010NE2LSATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.72 |
10+ | $1.542 |
100+ | $1.2392 |
500+ | $1.0182 |
1000+ | $0.8436 |
2000+ | $0.7854 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-7 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4700 pF @ 12 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 39A (Ta), 100A (Tc) |
Grundproduktnummer | BSC010 |
BSC010NE2LSATMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSC010NE2LSATMA1 PDF - EN.pdf |
Infineon TDSON-8
INFINEON TDSON-8
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MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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