Name: IXYS IXTQ60N10T
Brand: IXYS
SKU: IXTQ60N10T
Price: 3.6053 USD
Availability: InStock
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IXYS IXTQ60N10T

Artikelnummer:

IXTQ60N10T

Hersteller / Marke:

IXYS

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 100V 60A TO3P

Datenblätte:

1.IXTQ60N10T.pdf ···: PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf

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Spezifikationen
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Verpackung

~~IXYS IXTQ60N10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IXTQ60N10T.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-3P
Serie	Trench
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)	176W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-3P-3, SC-65-3
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)
Grundproduktnummer	IXTQ60
IXTQ60N10T Einzelheiten PDF [English]	IXTQ60N10T PDF - EN.pdf

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