Name: Fairchild Semiconductor ISL9N312AS3ST
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: ISL9N312AS3ST
Price: 0.87 USD
Availability: InStock
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Fairchild Semiconductor ISL9N312AS3ST

Artikelnummer:

ISL9N312AS3ST

Hersteller / Marke:

Fairchild Semiconductor

Teil der Beschreibung.:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ECAD -Modell:

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PayPal / Credit Card / T/T

Versandweg:

DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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$0.87

Spezifikationen
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Verpackung

~~Fairchild Semiconductor ISL9N312AS3ST Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments ISL9N312AS3ST.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-263AB
Serie	UltraFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 58A, 10V
Verlustleistung (max)	75W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	58A (Tc)
ISL9N312AS3ST Einzelheiten PDF [English]	ISL9N312AS3ST PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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