IPP60R380E6
Infineon Technologies
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 300µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3-1 |
Serie | CoolMOS E6™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 83W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10.6A (Tc) |
IPP60R380E6 Einzelheiten PDF [English] | IPP60R380E6 PDF - EN.pdf |
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Zielpreis (USD)
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