Name: Vishay Siliconix SQ4961EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4961EY-T1_GE3
Price: 0.7484 USD
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SQ4961EY-T1_GE3

Artikelnummer:

SQ4961EY-T1_GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8

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Verpackung

~~Vishay Siliconix SQ4961EY-T1_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SQ4961EY-T1_GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 3.5A, 10V
Leistung - max	3.3W
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1140pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.4A (Tc)
Konfiguration	2 P-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SQ4961
SQ4961EY-T1_GE3 Einzelheiten PDF [English]	SQ4961EY-T1_GE3 PDF - EN.pdf

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