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onsemi NTMFS4H01NFT1G
| Artikelnummer: | NTMFS4H01NFT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi NTMFS4H01NFT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTMFS4H01NFT1G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.7mOhm @ 30A, 10V Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5538 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 54A (Ta), 334A (Tc) Grundproduktnummer NTMFS4 NTMFS4H01NFT1G Einzelheiten PDF [English] NTMFS4H01NFT1G PDF - EN.pdf -
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