SI2369DS-T1-BE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.42 |
10+ | $0.36 |
100+ | $0.2686 |
500+ | $0.211 |
1000+ | $0.1631 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1295 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.4A (Ta), 7.6A (Tc) |
VISHAY SOT23-3
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
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VISHAY SOT-23
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P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
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VISHAY TO-263
2024/10/8
2024/01/24
2024/06/3
2024/05/7
SI2369DS-T1-BE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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