TSM650N15CR
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | TSM650N15CR |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | 150V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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5000+ | $2.4422 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-PDFN (5x6) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.6W (Ta), 96W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1829 pF @ 75 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta), 24A (Tc) |
Grundproduktnummer | TSM650 |
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23
-20V, -4.1A, SINGLE P-CHANNEL PO
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
-60V, -18A, COMPLEMENTARY P-CHAN
600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
150V, 9A, SINGLE N-CHANNEL POWER
MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP
600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
-60V, -18A, SINGLE P-CHANNEL POW
TOSHIBA TQFP-64
TSC SOT-23
600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
-30V, -4.1A, SINGLE P-CHANNEL PO
MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN
2024/01/20
2024/05/7
2024/05/9
2024/04/23
TSM650N15CRTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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