Name: Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N60ECH C5G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM2N60ECH C5G
Availability: InStock
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Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N60ECH C5G

Artikelnummer:

TSM2N60ECH C5G

Hersteller / Marke:

Taiwan Semiconductor

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251

Datenblätte:

1.TSM2N60ECH C5G.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Mult Dev 17/Sep/2021.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N60ECH C5G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments TSM2N60ECH C5G.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-251 (IPAK)
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)	52.1W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	362 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.5 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Tc)
Grundproduktnummer	TSM2
TSM2N60ECH C5G Einzelheiten PDF [English]	TSM2N60ECH C5G PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

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- Originalrechnungsnummer
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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