RS1KALH
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | RS1KALH |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | 500NS, 1A, 800V, FAST RECOVERY R |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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28000+ | $0.069 |
56000+ | $0.0663 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Thin SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 500 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | RS1K |
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
RS1K-T Original
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
RS1K/TR Original
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GP 800V 800MA SOD123FA
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
250NS, 1A, 800V, FAST RECOVERY R
DIODE GP 800V 800MA SOD123FA
DIODE GENERAL PURPOSE SMB
RS1KF JD
DIODE GEN PURP 800V 1A SMB
DIODE GEN PURP 800V 1A SMB
DIODE GEN PURP 800V 1A SMB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE FAST 800V 1.2A SOD-123HE
500NS, 1A, 800V, FAST RECOVERY R
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 800V 1A THIN SMA
2024/06/14
2024/03/20
2024/11/13
2024/08/22
RS1KALHTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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