RS1GALH
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | RS1GALH |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | 150NS, 1A, 400V, FAST RECOVERY R |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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28000+ | $0.069 |
56000+ | $0.0663 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 400 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Thin SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 150 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 400 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GP 400V 800MA SOD123FA
MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
RS1G300GN ROHM
MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
DIODE GP 400V 800MA SOD123FA
DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
150NS, 1A, 400V, FAST RECOVERY R
DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
DIODE GEN PURP 400V 1A THIN SMA
RS1GF Original
DIODE GENERAL PURPOSE SMB
RS1G180MN ROHM
RS1G260MN ROHM
MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
ROHM DFN5X6
ON SOD-123FL
MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
2024/04/26
2024/04/11
2024/03/21
2024/06/21
RS1GALHTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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