ES1LJ M2G
TSC (Taiwan Semiconductor)
Artikelnummer: | ES1LJ M2G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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15000+ | $0.0684 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35ns |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Andere Namen | ES1LJ M2G-ND ES1LJM2G |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 18 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | Standard |
detaillierte Beschreibung | Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5µA @ 600V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
ES1LJ M2G Einzelheiten PDF [English] | ES1LJ M2G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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