STGD3NB60SDT4
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STGD3NB60SDT4 |
---|---|
Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 6A 48W DPAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $1.12 |
10+ | $1.002 |
100+ | $0.7809 |
500+ | $0.6451 |
1000+ | $0.5093 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 3A |
Testbedingung | 480V, 3A, 1kOhm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 125µs/- |
Schaltenergie | 1.15mJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | PowerMESH™ |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 1.7 µs |
Leistung - max | 48 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 18 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 25 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 6 A |
Grundproduktnummer | STGD3 |
STGD3NB60SDT4 Einzelheiten PDF [English] | STGD3NB60SDT4 PDF - EN.pdf |
IGBT 390V 25A 125W DPAK
IGBT 600V 10A 50W DPAK
IGBT 1200V 16A IPAK
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
IGBT 1200V 10A 75W IPAK
POWER TRANSISTORS
ST TO-252
IGBT 600V 6A 48W DPAK
IGBT 1200V 10A 75W DPAK
ST TO252
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
STGD3NB60H ST
IGBT 600V 6A 60W DPAK
DISCRETE
ST TO-251
ST TO-252
POWER TRANSISTORS
IGBT 600V 7.5A 38W DPAK
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
2024/04/25
2024/08/25
2024/06/14
2023/12/20
STGD3NB60SDT4STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|