STGAP2SICSTR
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STGAP2SICSTR |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | DISCRETE |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $3.19 |
10+ | $2.868 |
100+ | $2.3496 |
500+ | $2.0001 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Ausgangsversorgung | 3V ~ 5.5V |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | - |
Technologie | Capacitive Coupling |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | - |
Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 30ns, 30ns |
Pulsbreite Verzerrung (Max) | 20ns |
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) | 90ns, 90ns |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Spitzenausgang | 4A |
Strom - hoch, niedrig | 4A, 4A |
Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.) | 100V/ns |
Grundproduktnummer | STGAP2 |
Genehmigungsbehörde | UL |
GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE
GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE
ST TO-263
DGTL ISO
DISCRETE
DISCRETE
IGBT 440V 20A 125W D2PAK
DISCRETE
IGBT 600V 20A 115W D2PAK
GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE
ST SOT263
DISCRETE
IGBT 650V 10A D2PAK
DGTL ISO
DISCRETE
GALVANICALLY ISOLATED 4 A DUAL G
DISCRETE
DGTL ISO
DISCRETE
2024/09/20
2024/06/4
2024/08/29
2024/04/14
STGAP2SICSTRSTMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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