STD9N40M2
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STD9N40M2 |
---|---|
Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 400V 6A DPAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $1.16 |
10+ | $1.041 |
100+ | $0.8114 |
500+ | $0.6703 |
1000+ | $0.5292 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | MDmesh™ II Plus |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 60W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 400 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
Grundproduktnummer | STD9 |
STD9N40M2 Einzelheiten PDF [English] | STD9N40M2 PDF - EN.pdf |
ST TO-252
STD9N10T4 ST
MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
DISCRETE
ST TO-252
STD9807S5-TRG SEMTRON
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
VB TO-252
ST TO-252
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
STD9N10L ST
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
S TO-252D
DISCRETE
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK
STD9N10 ST
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() STD9N40M2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|