Name: STMicroelectronics STD1HNC60T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD1HNC60T4
Availability: InStock
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STMicroelectronics STD1HNC60T4

Artikelnummer:

STD1HNC60T4

Hersteller / Marke:

STMicroelectronics

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~STMicroelectronics STD1HNC60T4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments STD1HNC60T4.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	PowerMESH™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)	50W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	228 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.5 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Tc)
Grundproduktnummer	STD1HN
STD1HNC60T4 Einzelheiten PDF [English]	STD1HNC60T4 PDF - EN.pdf

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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