STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STH410N4F7-2AG |
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Hersteller / Marke: | ST |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1000+ | $3.6291 |
2000+ | $3.4477 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | H2Pak-2 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 90A, 10V |
Verlustleistung (max) | 365W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11500 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 141 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200A (Tc) |
Grundproduktnummer | STH410 |
STH410N4F7-2AG Einzelheiten PDF [English] | STH410N4F7-2AG PDF - EN.pdf |
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STH410N4F7-2AGSTMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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