RFP12N18
Harris Corporation
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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262+ | $1.15 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 12A, 10V |
Verlustleistung (max) | 75W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 180 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
RFP12N18 Einzelheiten PDF [English] | RFP12N18 PDF - EN.pdf |
RFP12N20 /INTERSI
FAIRCHILD TO220
MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3
RFP12P20 FAIRCHILD
12A, 100V, 0.2OHM, N-CHANNEL, MO
TO-220
RFP12P08 Original
MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3
MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
RFP12N08 F
INTERSIL TO-220
MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
RFP12N10L/F12N10L FAIRCHILD
RFP12N06 INTERSIL
RFP12N10 FAIRCHILD
RFP12P10 INTERSIL
MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3
FAIRCHILD TO-220
2024/05/28
2024/10/11
2024/06/17
2024/04/10
RFP12N18Harris Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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