RFD15N06LESM
Harris Corporation
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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701+ | $0.43 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | - |
Vgs (Max) | - |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252-3 (DPAK) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Verlustleistung (max) | - |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 15A |
RFD15N06LESM Einzelheiten PDF [English] | RFD15N06LESM PDF - EN.pdf |
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HARRIS TO252
2024/08/29
2024/04/10
2024/04/29
2024/04/10
RFD15N06LESMHarris Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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