PHX45NQ11T,127
NXP Semiconductors / Freescale
Deutsch
Artikelnummer: | PHX45NQ11T,127 |
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Hersteller / Marke: | NXP Semiconductors / Freescale |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 110V 30.4A SOT186A |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220F |
Serie | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 25A, 10V |
Verlustleistung (max) | 62.5W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Andere Namen | 934058293127 PHX45NQ11T PHX45NQ11T-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 110V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 110V 30.4A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-220F |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30.4A (Tc) |
PHX45NQ11T,127 Einzelheiten PDF [English] | PHX45NQ11T,127 PDF - EN.pdf |
ANTENNA EXTERNAL
MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
MOSFET N-CH 110V 16A SOT186A
MOSFET N-CH 55V 12.9A SOT186A
MOSFET N-CH 110V 24.8A SOT186A
MOSFET N-CH 100V 13A TO220F
PHI TO220
PHX34NQ11T PHILIPS
PHI TO-220F
VBSEMI TO-220F
PHX23NQ10T PHILIPS
PHX23NQ11T PHILIPS
MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A
TO-220F
PHX45NQ11T PHI
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220F
photonic CSP
2024/06/6
2024/09/11
2024/03/25
2024/05/21
PHX45NQ11T,127NXP Semiconductors / Freescale |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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