JAN1N5806URS
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | JAN1N5806URS |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 150V 1A A-MELF |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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100+ | $19.47 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 150 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | A-MELF |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 25 ns |
Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, A |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 150 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Grundproduktnummer | 1N5806 |
JAN1N5806URS Einzelheiten PDF [English] | JAN1N5806URS PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL
DIODE GEN PURP 100V 1A A-MELF
DIODE GEN PURP 50V 2.5A D-5A
DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
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DIODE GEN PURP 50V 2.5A D-5A
DIODE GEN PURP 150V 2.5A D-5A
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DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
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DIODE GEN PURP 50V 6A
DIODE GEN PURP 50V 6A B SQ-MELF
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2024/08/25
2024/04/11
2024/04/10
2024/09/10
JAN1N5806URSMicrochip Technology |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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