MT58L256L36FS-10
Micron Technology Inc.
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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22+ | $13.77 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
Spannungsversorgung | 3.135V ~ 3.6V |
Technologie | SRAM - Standard |
Supplier Device-Gehäuse | 100-TQFP (14x20.1) |
Serie | SYNCBURST™ |
Verpackung / Gehäuse | 100-LQFP |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 8Mbit |
Speicherorganisation | 256K x 36 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Uhrfrequenz | 66 MHz |
Zugriffszeit | 10 ns |
MT58L256L36FS-10 Einzelheiten PDF [English] | MT58L256L36FS-10 PDF - EN.pdf |
MT58L256L36FIT-8.50 MICRON
MT58L256L36P-7.5 MT
CACHE SRAM, 256KX36, 8.5NS PQFP1
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP
IC SRAM 8MBIT PAR 113MHZ 100TQFP
MT58L256L36DS-7.5A MT
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP
IC SRAM 8MBIT PAR 100TQFP
IC SRAM 8MBIT PAR 113MHZ 100TQFP
MITSUBISHI QFP
MT58L256L36FS-7.5A MT
IC SRAM 8MBIT PAR 113MHZ 100TQFP
IC SRAM 8MBIT PAR 100TQFP
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP
MT58L256L32PS-7.5A MICRON
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP
MT58L256L36P-10A MICRON
2024/01/23
2024/03/20
2024/06/28
2024/04/26
MT58L256L36FS-10Micron Technology Inc. |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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