RDD022N60TL
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RDD022N60TL |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2500+ | $0.5954 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.7V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | CPT3 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7Ohm @ 1A, 10V |
Verlustleistung (max) | 20W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Tc) |
Grundproduktnummer | RDD022 |
RDD022N60TL Einzelheiten PDF [English] | RDD022N60TL PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RDD022N60TLRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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