Name: Rohm Semiconductor RDD022N60TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RDD022N60TL
Price: 0.5954 USD
Availability: InStock
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Rohm Semiconductor RDD022N60TL

Artikelnummer:

RDD022N60TL

Hersteller / Marke:

LAPIS Technology

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

Datenblätte:

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ROHS3 -konform

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Rohm Semiconductor RDD022N60TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RDD022N60TL.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4.7V @ 1mA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	CPT3
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)	20W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	175 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Tc)
Grundproduktnummer	RDD022
RDD022N60TL Einzelheiten PDF [English]	RDD022N60TL PDF - EN.pdf

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