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Infineon Technologies IRFB7434PBF
| Artikelnummer: | IRFB7434PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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-
Infineon Technologies IRFB7434PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRFB7434PBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Serie HEXFET®, StrongIRFET™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 100A, 10V Verlustleistung (max) 294W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10820 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 324 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc) Grundproduktnummer IRFB7434 IRFB7434PBF Einzelheiten PDF [English] IRFB7434PBF PDF - EN.pdf -
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