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Infineon Technologies IRF7324D1TRPBF
| Artikelnummer: | IRF7324D1TRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
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Infineon Technologies IRF7324D1TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRF7324D1TRPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) Vgs (Max) ±12V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SO Serie FETKY™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Verlustleistung (max) 2W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 4.5 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A (Ta) IRF7324D1TRPBF Einzelheiten PDF [English] IRF7324D1TRPBF PDF - EN.pdf -
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