IPL60R199CP
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPL60R199CP |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | IPL60R199CP Infineon Technologies |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
3000+ | $1.6616 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-VSON-4 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 139W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 4-PowerTSFN |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1520pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16.4A (Tc) |
IPL60R199CP Einzelheiten PDF [English] | IPL60R199CP PDF - EN.pdf |
INFINEON QFN
MOSFET N-CH 600V 12A VSON-4
IPL60R210P6 INFINEON
INFINEON PG-VSON-4
INFINEON PG-VSON-4
MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
INFINEON VSON-4
MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
INFINEON PG-VSON-4
MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
INFINEON PG-VSON-4
IPL60R255P6 INFINEON
MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON
INFINEON VSON4
MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
INFINEON QFN
2024/06/3
2024/01/31
2024/04/5
2024/08/25
IPL60R199CPInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|