IPI60R600CPAKSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPI60R600CPAKSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 6.1A TO262-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 60W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.1A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPI60R |
IPI60R600CPAKSA1 Einzelheiten PDF [English] | IPI60R600CPAKSA1 PDF - EN.pdf |
IPI65R190CFD INFINEON
IPI60R520CP INFINEON
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
IPI65R190C6 Infineon
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon TO-262
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 650V 38A TO262-3
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO262-3
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262-3
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
2024/07/11
2024/05/16
2024/05/28
2024/01/25
IPI60R600CPAKSA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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