IPD50R399CPBTMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD50R399CPBTMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | LOW POWER_LEGACY |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3-313 |
Serie | CoolMOS™ CP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 4.9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 83W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD50R |
IPD50R399CPBTMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPD50R399CPBTMA1 PDF - EN.pdf |
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2024/12/26
2024/05/9
2025/01/15
2024/08/29
IPD50R399CPBTMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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