IPB052N04NGATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB052N04NGATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 33µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 70A, 10V |
Verlustleistung (max) | 79W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 70A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB052N |
IPB052N04NGATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB052N04NGATMA1 PDF - EN.pdf |
INFINEON TO-263
IPB054N06N3 G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
INFINEON TO-263
IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
TRENCH >=100V
N-CHANNEL POWER MOSFET
IPB054N06N3-G INF
IPB052N04N G Infineo
N-CHANNEL POWER MOSFET
IPB051NE8NG(051NE8N) INFINEO
N-CHANNEL POWER MOSFET
INFINEON SOT-263
IPB054N08N3G INFINEO
IPB054N08N3 G Infineon Technologies
IPB051NE8N G INFINEON
2024/04/29
2024/05/22
2024/04/25
2024/05/21
IPB052N04NGATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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