BG3430RH6327XTSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BG3430RH6327XTSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Prüfung | 5 V |
Spannung - Nennwert | 8 V |
Technologie | MOSFET |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT363-PO |
Serie | - |
Leistung | - |
Verpackung / Gehäuse | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Rauschmaß | 1.3dB |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gewinnen | 25dB |
Frequenz | 800MHz |
Aktuelle Bewertung (AMPs) | 25mA |
Strom - Test | 14 mA |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
BG3430RH6327XTSA1 Einzelheiten PDF [English] | BG3430RH6327XTSA1 PDF - EN.pdf |
BG3430RE6327 INFINEON
BG3130RE6327 INFINEO
BG3230 INFINEON
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
DIP16
BG3430R INFIN
BG3230 E6327 INFINEON
CHINA DIP
BG3130R INFINEO
CHINA CDIP14
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
BG3130R H6327 INFINEO
BG3430R E6327 Original
BG3230E6327 INFINEON
BG3140RE6327 INFINEON
BG3130R E6327 INFINEON
RF MOSFET N-CH DUAL 5V SOT363-6
2024/04/11
2024/06/5
2024/04/10
2023/12/20
BG3430RH6327XTSA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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