IS43LD16128B-18BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43LD16128B-18BLI-TR |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2000+ | $10.815 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
Supplier Device-Gehäuse | 134-TFBGA (10x11.5) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 134-TFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 2Gbit |
Speicherorganisation | 128M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 533 MHz |
Grundproduktnummer | IS43LD16128 |
IS43LD16128B-18BLI-TR Einzelheiten PDF [English] | IS43LD16128B-18BLI-TR PDF - EN.pdf |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA
INTERSIL TQFN16
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz
2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 4
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 4
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16,
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
2024/05/6
2024/08/29
2024/06/28
2024/04/13
IS43LD16128B-18BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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