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Infineon Technologies IRF7402TRPBF
| Artikelnummer: | IRF7402TRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IR |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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Infineon Technologies IRF7402TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRF7402TRPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) Vgs (Max) ±12V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SO Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.1A, 4.5V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.8A (Ta) IRF7402TRPBF Einzelheiten PDF [English] IRF7402TRPBF PDF - EN.pdf -
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