IRF6717MTRPBF
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Infineon Technologies IRF6717MTRPBF
| Artikelnummer: | IRF6717MTRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IR |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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Infineon Technologies IRF6717MTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRF6717MTRPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25mOhm @ 38A, 10V Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6750 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Ta), 200A (Tc) Grundproduktnummer IRF6717 IRF6717MTRPBF Einzelheiten PDF [English] IRF6717MTRPBF PDF - EN.pdf -
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