IPB096N03LG
Infineon Technologies
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
Serie | OptiMOS™3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 42W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
IPB096N03LG Einzelheiten PDF [English] | IPB096N03LG PDF - EN.pdf |
IPB09N03 Original
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
IPB093N04L G Infineon
Infineon NA
IPB096N03L G INFINEON
INF TO-263
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
INFINEON TO-263
IPB09N03LAG INFINEO
N-CHANNEL POWER MOSFET
IPB091N06NG VB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK
IPB096N03L Infineon
IPB097N08N3 Infineon
MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
IPB091N06N G INFINEON
2024/01/31
2024/09/9
2024/04/10
2024/04/14
IPB096N03LGInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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