HER304G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2500+ | $0.2374 |
6250+ | $0.2361 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 300 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-201AD |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-201AD, Axial |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 300 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | HER304 |
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
HER304 MIC
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
HER305 GW
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 300V 3A DO27
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
50NS, 3A, 300V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 300V 3A DO27
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
2023/12/20
2024/05/9
2024/05/17
2024/04/11
HER304GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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