FDD5N50NZTM
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Fairchild/ON Semiconductor FDD5N50NZTM
| Artikelnummer: | FDD5N50NZTM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
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Fairchild/ON Semiconductor FDD5N50NZTM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDD5N50NZTM.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak) Serie UniFET™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2A, 10V Verlustleistung (max) 62W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) FDD5N50NZTM Einzelheiten PDF [English] FDD5N50NZTM PDF - EN.pdf -
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